描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
233-2427
制造商零件编号CM100DY-13T#300G
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RMB838.368
个 (以毎盒:10)
单位
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100 A | 600 V | 20V | 2 | 775 瓦 | 94x34 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
233-2428
制造商零件编号CM100DY-13T#300G
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RMB1,069.55
个
单位
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100 A | 600 V | 20V | 2 | 775 瓦 | 94x34 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
233-2429
制造商零件编号CM150DY-13T#300G
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RMB1,096.217
个 (以毎盒:10)
单位
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150 A | 600 V | 20V | 2 | 1.09 kW | 94x34 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
207-4973
制造商零件编号CM600DX -24T #300G
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RMB3,440.20
个
单位
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600 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
207-4969
制造商零件编号CM450DX -24T #300G
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RMB2,458.68
个
单位
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450 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
233-2430
制造商零件编号CM150DY-13T#300G
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RMB1,240.85
个
单位
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150 A | 600 V | 20V | 2 | 1.09 kW | 94x34 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
207-4958
制造商零件编号CM100TX-24T #300G
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RMB1,867.21
个
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4970
制造商零件编号CM450DY-24T #300G
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RMB2,362.712
个 (以毎盒:10)
单位
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450 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
233-2440
制造商零件编号CM450DX-13T#300G
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RMB1,503.544
个 (以毎盒:10)
单位
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450 A | 600 V | 20V | 2 | 1.69 kW | 122x62 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
233-2431
制造商零件编号CM200DY-13T#300G
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RMB1,289.789
个 (以毎盒:10)
单位
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200 A | 600 V | 20V | 2 | 1.4 kW | 94x34 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
207-5008
制造商零件编号PSS10S92F6-AG
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RMB120.385
毎管:10 个
单位
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10 | 600 V | - | 6 | - | Power拨 码模块 | 阵列 | 通孔 | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4959
制造商零件编号CM150TX -24T #300G
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RMB2,193.198
个 (以毎盒:9)
单位
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150 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4975
制造商零件编号PM100CG1B120#300G
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RMB2,434.908
个 (以毎盒:10)
单位
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100 | 1200 V | - | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4971
制造商零件编号CM450DY-24T #300G
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RMB2,989.91
个
单位
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450 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
233-2443
制造商零件编号CM600DY-13T#300G
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RMB3,168.84
个
单位
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600 A | 600 V | 20V | 2 | 4.17 千瓦 | 94x48 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
233-2441
制造商零件编号CM450DX-13T#300G
|
RMB1,890.82
个
单位
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450 A | 600 V | 20V | 2 | 1.69 kW | 122x62 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
233-2432
制造商零件编号CM200DY-13T#300G
|
RMB1,511.29
个
单位
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200 A | 600 V | 20V | 2 | 1.4 kW | 94x34 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
207-4955
制造商零件编号CM100RX-24T #300G
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RMB1,525.491
个 (以毎盒:9)
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
233-2437
制造商零件编号CM400DY-13T#300G
|
RMB1,799.345
个 (以毎盒:10)
单位
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400 A | 600 V | 20V | 2 | 2.83 kW | 94x48 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
207-5009
制造商零件编号PSS10S92F6-AG
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RMB132.76
个
单位
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10 | 600 V | - | 6 | - | Power拨 码模块 | 阵列 | 通孔 | N | - | - | 3 相 | - |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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