Renesas Electronics

存储器芯片

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存储器芯片
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描述
产品详情
  • RMB60.125
    /个 (每包:2个)
Renesas Electronics 4Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 256K x 16, 44针, 71V416S10PHG
  • 存储器大小4Mbit
  • 组织256K x 16
  • 字组数目256K
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间10ns
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  • RMB80.684
    毎管:14 个
  • RMB18.536
    /个 (每包:5个)
1Mbit SRAM, 64K x 16
  • 存储器大小1Mbit
  • 组织64K x 16
  • 最长随机存取时间10ns
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  • RMB27.162
    /个 (每包:5个)
Renesas Electronics 16Bit SRAM, 16Bit每字组, 1Mx16, 71024S12TYGI
  • 存储器大小16Bit
  • 组织1Mx16
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间3.5µs
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  • RMB89.40
Renesas Electronics 16Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 2K x 8, 52针, 71321SA55JG8
  • 存储器大小16Kbit
  • 组织2K x 8
  • 字组数目2K
  • 每字组的位元数目8Bit
  • 最长随机存取时间55ns
查看更多类似产品 SRAM
  • RMB89.61
Renesas Electronics 16Kbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 1K x 8., 48针, 7130LA35PDG
  • 存储器大小16Kbit
  • 组织1K x 8.
  • 字组数目2K
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间100ns
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  • RMB19.615
    个 (在毎卷:1000)
Renesas Electronics 1Mbit SRAM, 128 k x 8, 71024S15TYGI8
  • 存储器大小1Mbit
  • 组织128 k x 8
  • 最长随机存取时间15ns
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  • RMB21.341
    毎管:26 个
Renesas Electronics 1Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 64K x 16, 44针, 71016S15PHGI
  • 存储器大小1Mbit
  • 组织64K x 16
  • 字组数目64K
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间12ns
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  • RMB106.70
  • RMB307.59
Renesas Electronics 64Kbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 4Kx 16., 100针, 7024L15PFG
  • 存储器大小64Kbit
  • 组织4Kx 16.
  • 字组数目4K
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间15ns
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  • RMB14.205
    个 (在毎卷:1500)
Renesas Electronics 1Mbit SRAM, 16Bit每字组, 64K x 16, 71V016SA15PHG8
  • 存储器大小1Mbit
  • 组织64K x 16
  • 字组数目64k
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间20ns
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  • RMB122.269
    个 (在毎卷:400)
Renesas Electronics 8Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 1K x 8, 52针, 7130LA25JGI8
  • 存储器大小8Kbit
  • 组织1K x 8
  • 字组数目1K
  • 每字组的位元数目8Bit
  • 最长随机存取时间25ns
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  • RMB146.014
    Each (In a Tray of 45)
Renesas Electronics 8Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 1K X 8, 64针, 7130LA25PFGI
  • 存储器大小8Kbit
  • 组织1K X 8
  • 字组数目1K
  • 每字组的位元数目8Bit
  • 最长随机存取时间25ns
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  • RMB132.70
Renesas Electronics 16Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 2K x 8, 52针, 71321LA55PPGI
  • 存储器大小16Kbit
  • 组织2K x 8
  • 字组数目2K
  • 每字组的位元数目8Bit
  • 最长随机存取时间55ns
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  • RMB368.096
    Each (In a Tray of 45)
Renesas Electronics 128Kbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 8K x 16, 100针, 7025L20PFGI
  • 存储器大小128Kbit
  • 组织8K x 16
  • 字组数目8K
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间20ns
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  • RMB17.868
    /个 (每包:5个)
Renesas Electronics 256Kbit SRAM, 8Bit每字组, 32K x 8, 71256SA15YG
  • 存储器大小256Kbit
  • 组织32K x 8
  • 字组数目32K
  • 每字组的位元数目8Bit
  • 最长随机存取时间12ns
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  • RMB478.353
    Each (In a Tray of 45)
Renesas Electronics 256Kbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 16K x 16, 100针, 70V261L25PFGI
  • 存储器大小256Kbit
  • 组织16K x 16
  • 字组数目16K
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间25ns
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  • RMB42.42
Renesas Electronics 8Mbit SRAM, 16Bit每字组, 512k x 16, 44针, RMLV0816BGSB-4S2#AA0
  • 存储器大小8Mbit
  • 组织512k x 16
  • 字组数目512k
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间45ns
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  • RMB611.43
    毎管:32 个
Renesas Electronics FIFO芯片9Bit, 双向总线 576Kbit PLCC封装, 64K x 9.
  • 存储器大小576Kbit
  • 组织64K x 9.
  • 数据总线宽度9Bit
  • 总线方向性双向
  • 存取时间20 ns
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  • RMB18.536
    /个 (每包:5个)
Renesas Electronics 1Mbit SRAM, 16Bit每字组, 64K x 16, 71V016SA12PHG8
  • 存储器大小1Mbit
  • 组织64K x 16
  • 字组数目64k
  • 每字组的位元数目16Bit
  • 最长随机存取时间20ns
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