Texas Instruments

分立半导体

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分立半导体
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  • RMB32.555
    /个 (每包:2个)
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 259 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19536KCS
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流259 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型TO-220
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB30.16
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19506KCS
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流273 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型TO-220
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB5.278
    毎管:25 个
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, 通孔安装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压100 V
  • 封装类型PDIP
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB7.084
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 75 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18504Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流75 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 封装类型VSONP
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB3.146
    /个 (每包:25个)
  • RMB2.957
    Each (On a Tape of 25)
  • RMB9.936
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19534KCS
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型TO-220
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB3.235
    毎管:25 个
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, 通孔安装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大发射极-基极电压50 V
  • 封装类型PDIP
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB4.133
    /个 (每包:25个)
Texas Instruments 单向ESD保护二极管, 贴片安装, 最小击穿14V, SOT-323 (SC-70)封装, 串行配置, TPD2E007DCKR
  • 方向类型单向
  • 二极管配置串行
  • 最小击穿电压14V
  • 安装类型贴片
  • 封装类型SOT-323 (SC-70)
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  • RMB16.364
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 204 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD18502Q5B
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流204 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSON-CLIP
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  • RMB8.836
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments 可编程电流源, 最大10mA, 最大30V, TO-92封装, 工作温度 -25 °C至 +100 °C, 3引脚
  • 二极管配置单路
  • 每片芯片元件数目1
  • 最大调节器电流10mA
  • 最大峰值工作电压30V
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 恒流二极管
  • RMB4.14
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, , 通孔安装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大发射极-基极电压50 V
  • 封装类型PDIP
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB3.217
    /个 (每包:20个)
  • RMB10.78
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments TVS二极管, 贴片安装, 最大钳位7V, 最小击穿6.5V, TSSOP封装, 共阳极配置, SN75240PW
  • 二极管配置共阳极
  • 最大钳位电压7V
  • 最小击穿电压6.5V
  • 安装类型贴片
  • 封装类型TSSOP
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB3.44
    /个 (每包:5个)
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, , 通孔安装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型PDIP
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB2.951
    毎管:25 个
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, , 通孔安装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型PDIP
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB6.426
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments TVS二极管, 贴片安装, SOT-23封装, 共阳极配置, SN65220DBVT
  • 二极管配置共阳极
  • 安装类型贴片
  • 封装类型SOT-23
  • 引脚数目6
  • 每片芯片元件数目2
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  • RMB1.735
    /个 (每包:25个)
  • RMB6.772
    /个 (每包:10个)
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, TSSOP封装, 贴片, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型TSSOP
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB8.512
    /个 (每包:5个)
Texas Instruments P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 104 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD25404Q3T
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流104 A
  • 最大漏源电压20 V
  • 封装类型VSON-CLIP
  • 系列NexFET
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