双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 168-6139
制造商零件编号D45H11
RMB6.962
毎管:50 个
单位
PNP -10 A -80 V TO-220 通孔 50 W 40 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 807-4850
制造商零件编号MMPQ2222A
品牌onsemi
RMB13.68
/个 (每包:5个)
单位
NPN 500 mA 40 V SOIC 贴片 1 W 100 隔离式 75 V 5 V 300 MHz 16 4 -
RS 库存编号 163-2362
制造商零件编号BD139G
品牌onsemi
RMB2.182
个 (以毎盒:500)
单位
NPN 1.5 A 80 V TO-225 通孔 1.25 W 40 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 463-044
制造商零件编号BD139G
品牌onsemi
RMB2.983
/个 (每包:20个)
单位
NPN 1.5 A 80 V TO-225 通孔 1250 mW 40 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 669-7433
制造商零件编号ZTX851
品牌DiodesZetex
RMB6.686
/个 (每包:5个)
单位
NPN 5 A 60 V TO-92 通孔 1.2 W 100 150 V 6 V 130 MHz 3 1 -
RS 库存编号 102-1371
制造商零件编号MJD45H11T4G
品牌onsemi
RMB2.152
个 (在毎卷:2500)
单位
PNP -8 A -80 V DPAK (TO-252) 贴片 1.75 W 60 - 5 V 90 MHz 3 1 -
RS 库存编号 807-1007
制造商零件编号FMB3904
品牌onsemi
RMB2.409
/个 (每包:50个)
单位
NPN 200 mA 40 V SOT-23 贴片 700 mW 100 隔离式 60 V 6 V 250 MHz 6 2 -
RS 库存编号 170-3462
制造商零件编号BCP56T3G
品牌onsemi
RMB0.88
个 (在毎卷:4000)
单位
NPN 1 A 80 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.5 W 40 100 V 5 V 35 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 463-622
制造商零件编号MJD45H11T4G
品牌onsemi
RMB4.091
/个 (每包:20个)
单位
PNP -8 A -80 V DPAK (TO-252) 贴片 1.75 W 60 - 5 V 90 MHz 3 1 -
RS 库存编号 145-3183
制造商零件编号MJL21195G
品牌onsemi
RMB26.512
毎管:25 个
单位
PNP -16 A -250 V TO-264 通孔 200 W - 400 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 145-3502
制造商零件编号MJE340G
品牌onsemi
RMB1.754
个 (以毎盒:500)
单位
NPN 500 mA 300 V TO-225 通孔 20 W 30 - 3 V - 3 1 -
RS 库存编号 739-0353
制造商零件编号KSA928AYTA
品牌onsemi
RMB2.37
/个 (每包:10个)
单位
PNP -2 A -30 V TO-92L 通孔 1 W - -30 V -5 V 120 MHz 3 1 -
RS 库存编号 802-4546
制造商零件编号MJL21195G
品牌onsemi
RMB35.295
/个 (每包:2个)
单位
PNP -16 A -250 V TO-264 通孔 200 W - 400 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 773-7642
制造商零件编号BCP56T3G
品牌onsemi
RMB2.318
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1 A 80 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.5 W 40 100 V 5 V 35 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 903-4396
制造商零件编号PZTA06
品牌onsemi
RMB2.697
/个 (每包:50个)
单位
NPN 500 mA 80 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1 W 100 80 V 4 V 100 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 146-0364
制造商零件编号BC846S,115
品牌Nexperia
RMB0.273
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-363 (SC-88) 贴片 20 mW 110 隔离式 80 V 65 V - 6 2 -
RS 库存编号 545-0258
制造商零件编号MJD45H11G
品牌onsemi
RMB5.59
单位
PNP -8 A -80 V DPAK (TO-252) 表面贴装 1.75 W - - 5 V 90 MHz 3 1 -
RS 库存编号 464-205
制造商零件编号MJE340G
品牌onsemi
RMB2.455
/个 (每包:20个)
单位
NPN 500 mA 300 V TO-225 通孔 20000 mW 30 - 3 V - 3 1 -
RS 库存编号 922-7863
制造商零件编号ZTX851
品牌DiodesZetex
RMB3.737
个 (以毎袋:4000)
单位
NPN 5 A 60 V TO-92 通孔 1.2 W 100 150 V 6 V 130 MHz 3 1 -
RS 库存编号 165-6841
制造商零件编号STR1550
RMB0.992
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 500 mA 500 V SOT-23 贴片 500 mW 100 500 V 9 V - 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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