描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
468-2498
制造商零件编号SKM300GB125D
品牌Semikron
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RMB3,289.31
个
单位
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300 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
122-0393
制造商零件编号SEMiX603GB12E4p
品牌Semikron
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RMB2,994.28
个
单位
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1.1 kA | 1200 V | 20V | - | - | SEMiX®3p | 串行 | 通孔 | N | 11 | - | 串行 | 150 x 62.4 x 17mm |
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RS 库存编号
687-4964
制造商零件编号SKM150GB12T4
品牌Semikron
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RMB789.50
个
单位
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232 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.1mm |
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RS 库存编号
505-3138
制造商零件编号SKM145GB066D
品牌Semikron
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RMB727.88
个
单位
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195 A | 600 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 29.5mm |
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RS 库存编号
468-2410
制造商零件编号SKM100GB125DN
品牌Semikron
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RMB1,089.25
个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94.5 x 34.5 x 30.5mm |
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RS 库存编号
505-3217
制造商零件编号SKM200GB176D
品牌Semikron
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RMB2,412.35
个
单位
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260 A | 1700 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
505-3245
制造商零件编号SKM400GB176D
品牌Semikron
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RMB4,431.21
个
单位
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430 A | 1700 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
905-6172
制造商零件编号SKM100GB176D
品牌Semikron
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RMB920.25
个
单位
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125 A | 1700 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.5mm |
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RS 库存编号
468-2460
制造商零件编号SKM200GB126D
品牌Semikron
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RMB1,658.60
个
单位
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260 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
687-4973
制造商零件编号SKM200GB12E4
品牌Semikron
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RMB1,226.25
个
单位
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314 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
687-4967
制造商零件编号SKM50GB12T4
品牌Semikron
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RMB464.70
个
单位
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81 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.1mm |
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RS 库存编号
505-3144
制造商零件编号SKM195GB066D
品牌Semikron
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RMB720.58
个
单位
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265 A | 600 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.5mm |
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RS 库存编号
125-1115
制造商零件编号SKM400GB125D
品牌Semikron
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RMB5,641.90
个
单位
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400 A | 1200 V | 20V | 2 | - | SEMITRANS3 | 双 | 螺纹 | N | 7 | 12kHz | 半桥 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
905-6156
制造商零件编号SKM75GB12V
品牌Semikron
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RMB596.13
个
单位
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114 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.1mm |
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RS 库存编号
905-6166
制造商零件编号SK 150 MLI 066 T
品牌Semikron
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RMB1,149.21
个
单位
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151 A | 600 V | ±20V | - | - | SEMITOP4 | 串行 | 通孔 | N | 70 | - | 串行 | 55 x 60.25 x 15.08mm |
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RS 库存编号
125-1114
制造商零件编号SKM400GB12E4
品牌Semikron
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RMB2,901.54
个
单位
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616 A | 1200 V | 20V | 2 | - | SEMITRANS3 | 双 | 螺纹 | N | 7 | 12kHz | 半桥 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
687-4958
制造商零件编号SKM100GB12T4
品牌Semikron
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RMB707.54
个
单位
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160 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.1mm |
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RS 库存编号
125-1113
制造商零件编号SKM300GB12E4
品牌Semikron
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RMB2,330.00
个
单位
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422 A | 1200 V | 20V | 2 | - | SEMITRANS3 | 双 | 螺纹 | N | 7 | 12kHz | 半桥 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
687-4955
制造商零件编号SKM150GAR12T4
品牌Semikron
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RMB798.92
个
单位
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232 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 单 | 面板 | N | 5 | - | 单 | 94 x 34 x 30.1mm |
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RS 库存编号
468-2527
制造商零件编号SKM400GB126D
品牌Semikron
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RMB2,509.43
个
单位
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470 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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