IGBT
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筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
241-2299
制造商零件编号RGWS00TS65DGC13
品牌ROHM
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RMB24.956
毎管：600 个
单位
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88 A | 650 V | ±30V | 1 | 245 W | TO-247GE | 单集电极、单发射极、单栅极 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
274-1347
制造商零件编号VS-GT90DA120U
品牌Vishay
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RMB412.94
个
单位
|
169 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 781 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
273-2928
制造商零件编号FP75R12N2T7BPSA2
品牌Infineon
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RMB1,375.53
个
单位
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
202-7325
制造商零件编号NFAQ1060L36T
品牌onsemi
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RMB103.695
/个 (每包:2个)
单位
|
- | - | - | - | - | DIP38 | - | 螺钉 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
204-3946
制造商零件编号STGWA20HP65FB2
|
RMB19.958
/个 (每包:5个)
单位
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40 A | 650 V | 20V | 1 | 147 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
207-4977
制造商零件编号PM50CG1B120#300G
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RMB1,637.492
个 (以毎盒：10)
单位
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50 | 1200 V | - | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
215-6662
制造商零件编号IKP40N65H5XKSA1
品牌Infineon
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RMB15.123
毎管：50 个
单位
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74 A | 650 V | ±20 V, ±30 V | - | 250 W | PG-TO220-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
218-4355
制造商零件编号FP35R12W2T4PB11BPSA1
品牌Infineon
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RMB444.98
个
单位
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35 A | 1200 V | 20V | 7 | 20 毫瓦 | EASY2B | - | - | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-2964
制造商零件编号IKA15N65H5XKSA1
品牌Infineon
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RMB9.395
毎管：50 个
单位
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
274-1346
制造商零件编号VS-GT90DA120U
品牌Vishay
|
RMB412.915
毎管：10 个
单位
|
169 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 781 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
249-6941
制造商零件编号IKW50N65RH5XKSA1
品牌Infineon
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RMB63.36
个
单位
|
50 A | 650 V | 15V | 2 | 305 W | PG-TO247-3 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
202-7324
制造商零件编号NFAQ1060L36T
品牌onsemi
|
RMB78.68
毎管：400 个
单位
|
- | - | - | - | - | DIP38 | - | 螺钉 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
204-3945
制造商零件编号STGWA20HP65FB2
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RMB13.784
毎管：30 个
单位
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40 A | 650 V | 20V | 1 | 147 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
258-1007
制造商零件编号IKD15N60RC2ATMA1
品牌Infineon
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RMB11.22
/个 (每包:2个)
单位
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- | 600 V | ±20V | - | - | PG-TO252-3 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
249-6940
制造商零件编号IKW50N65RH5XKSA1
品牌Infineon
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RMB51.574
毎管：30 个
单位
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50 A | 650 V | 15V | 2 | 305 W | PG-TO247-3 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6661
制造商零件编号IKFW60N60DH3EXKSA1
品牌Infineon
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RMB43.89
/个 (每包:2个)
单位
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53 A | 600 V | ±20 V, ±30 V | - | 141 瓦 | Pg - TO247 - 3-ai | - | - | - | 3 | - | 隔离式 | - |
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RS 库存编号
204-3944
制造商零件编号STGWA50HP65FB2
|
RMB20.11
/个 (每包:5个)
单位
|
86 A | 650 V | 20V | 1 | 272 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
|
RS 库存编号
204-3943
制造商零件编号STGWA50HP65FB2
|
RMB15.261
毎管：30 个
单位
|
86 A | 650 V | 20V | 1 | 272 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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