MOSFET
MOSFET是什么?
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
- NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
- 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
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135 产品
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比较 产品详述 单价(不含税) | 品牌 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | 类别 | 典型栅极电荷@Vgs | 宽度 | 晶体管材料 | 最高工作温度 | 每片芯片元件数目 | 长度 |
---|
个(每托盘 25 ) RMB4.484 | Microchip | N | 72 mA | 350 V | SOT-23 | 35 Ω | DN3135 | 贴片 | 3 | -3.5 V | 耗尽 | - | - | 360 mW | 单 | - | - | 1.4mm | - | +150 °C | 1 | 3.04mm |
个(每带 3000 ) RMB4.272 | Microchip | N | 72 mA | 350 V | SOT-23 | 35 Ω | DN3135 | 贴片 | 3 | -3.5 V | 耗尽 | - | - | 360 mW | 单 | - | - | 1.4mm | - | +150 °C | 1 | 3.04mm |
Microchip | N | - | 100 V | TO-92 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
个(每托盘 25 ) RMB3.107 | Microchip | N | 230 mA | 60 V | TO-92 | 7.5 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 2.5V | - | 1 W | 单 | - | - | 4.06mm | Si | +150 °C | 1 | 5.08mm |
Microchip | N | - | 240 V | SOT-23 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | P | - | 100 V | SOT-23 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | N | 48 A | 1700 V | TO-247 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SiC | - | - | - | |
个 RMB67.02 | Microchip | N | 26 A | 1200 V | TO-247-4 | - | - | 通孔 | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SiC | - | 1 | - |
Microchip | N | - | 50 V | SOT-89 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | N | - | 100 V | SOT-23 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | N | - | 240 V | SOT-23 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | P | - | 200 V | TO-92 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | P | - | 100 V | SOT-23 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
Microchip | N | - | 240 V | SOT-89 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
个 (以毎袋:1000) RMB2.989 | Microchip | N | 310 mA | 60 V | TO-92 | 7.5 Ω | VN10K | 通孔 | 3 | 30 V | 增强 | 2.5V | 0.8V | 1 W | 单 | - | - | 4.06mm | - | +150 °C | 1 | 5.08mm |
Microchip | N | - | 50 V | SOT-89 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
毎管:30 个 RMB54.841 | Microchip | N | 28 A | 700 V | TO-247-4 | - | - | 通孔 | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SiC | - | 1 | - |
Microchip | P | - | 200 V | TO-92 | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
个(每托盘 5 ) RMB11.60 | Microchip | P | 125 mA | 400 V | TO-243AA | 30 Ω | TP2540 | 贴片 | 3 | 20 V | 增强 | 2.4V | 1V | 1.6 W | 单 | - | - | 2.6mm | - | +150 °C | 1 | 4.6mm |
个(每托盘 10 ) RMB6.065 | Microchip | P | 2 A | 6 V | SOT-363 | 180 mΩ | MIC9405 | 贴片 | 6 | -6 V | 增强 | 1.2V | 0.5V | 270 mW | 单 | - | - | 1.35mm | Si | +150 °C | 1 | 2.2mm |