Name: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, SQD40020E_GE3
Brand: Vishay
SKU: 188-5048

描述

价格

通道类型

最大连续漏极电流

最大漏源电压

封装类型

最大漏源电阻值

系列

安装类型

引脚数目

最大栅源电压

通道模式

最大栅阈值电压

最小栅阈值电压

最大功率耗散

晶体管配置

新产品	Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, SQD40020E_GE3 RS 库存编号 188-5048 制造商零件编号SQD40020E_GE3 品牌Vishay 比较	RMB8.824 /个 (每包:10个) 单位	N	100 A	40 V	DPAK (TO-252)	4.7 mΩ	-	贴片	3	±20 V	增强	3.5V	2.5V	107 W	单
新产品	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, NTF3055L108T1G RS 库存编号 463-307 制造商零件编号NTF3055L108T1G 品牌onsemi 比较	RMB4.783 /个 (每包:20个) 单位	N	3 A	60 V	SOT-223	120 mΩ	-	贴片	3	-15 V、+15 V	增强	2V	-	2.1 W	单
新产品	STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块, Vds=650 V, 45 A, HiP247, 通孔安装, 3引脚, SCTW35N65G2VAG RS 库存编号 202-5487 制造商零件编号SCTW35N65G2VAG 品牌STMicroelectronics 比较	RMB115.369 毎管：30 个单位	N	45 A	650 V	HiP247	0.055 Ω	SCT	通孔	3	-	耗尽	5V	-	-	-
新产品	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 51 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS86183 RS 库存编号 146-4116 制造商零件编号FDMS86183 品牌onsemi 比较	RMB8.824 /个 (每包:25个) 单位	N	51 A	100 V	PQFN8	12.8 mΩ	PowerTrench	贴片	8	±20 V	增强	4V	2V	63 W	单
新产品	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 37 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, FDB2552 RS 库存编号 166-2548 制造商零件编号FDB2552 品牌onsemi 比较	RMB8.442 个 (在毎卷：800) 单位	N	37 A	150 V	D2PAK (TO-263)	97 mΩ	PowerTrench	贴片	3	-20 V、+20 V	增强	-	2V	150 W	单
新产品	onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 73 A, HPSOF8L, 贴片安装, NTBL045N065SC1 RS 库存编号 254-7666 制造商零件编号NTBL045N065SC1 品牌onsemi 比较	RMB56.454 个 (在毎卷：2000) 单位	N	73 A	650 V	HPSOF8L	-	-	贴片	-	-	-	-	-	-	-
新产品	Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 8.8 A, SC-70-6L, 贴片安装, 7引脚, SIA112LDJ-T1-GE3 RS 库存编号 279-9899 制造商零件编号SIA112LDJ-T1-GE3 品牌Vishay 比较	RMB3.347 个 (在毎卷：3000) 单位	N	8.8 A	100 V	SC-70-6L	-	-	贴片	7	-	增强	-	-	-	-

MOSFET