Infineon 闪存采用 45 nm 过程技术制造。这些设备提供高达 15 ns 的快速页面访问时间,相应的随机访问时间高达 100 ns。它们具有写入缓冲器,允许在一次操作中编程最多 256 个字或 512 字节,从而比标准编程算法更快地实现有效编程时间。
20 年数据保留
高级部门保护
512 字节编程缓冲器
100000 节目和清除循环
异步 32 字节页面读取
常见闪存接口参数表
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 1Gbit |
接口类型 | 并行 |
封装类型 | TSOP |
引脚数目 | 48 |
组织 | 120 MB |
单元类型 | NOR |