Infineon 4Mbit FRAM, 44p, 并行接口, 最长随机存取55ns, TSOP封装, 256K x 16 位, FM22L16-55-TG
- RS 库存编号 171-0958
- 制造商零件编号 FM22L16-55-TG
- 制造商 Infineon
产品详细信息
FRAM，Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
FRAM（铁电 RAM）
FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 存储器大小 | 4Mbit |
| 组织 | 256K x 16 位 |
| 接口类型 | 并行 |
| 最长随机存取时间 | 55ns |
| 安装类型 | 贴片 |
| 封装类型 | TSOP |
| 引脚数目 | 44 |
| 尺寸 | 18.51 x 10.26 x 1.04mm |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V |
| 最高工作温度 | +85 °C |
此产品已停售
