Vishay, 场效应管Mosfet

Vishay MOSFET 是双通道 (N 和 P 通道) PowerPAK-SC70-6 封装表面安装晶体管。在 4.5V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 28mohms 和 54mohms。其最大栅源电压为 8V。它的漏极源电压分别为 12V (N 沟道) 和 20V (P 沟道)。MOSFET 的最大功耗为 7.8W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
•典型 ESD 保护： N 沟道 2400V P 沟道 2000V

•移动计算
•直流 / 直流转换器
•负载开关
•智能手机等便携式设备
• 电源管理
•平板电脑

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•经过 RG 测试