Vishay , 1 N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=250 V, 7.9 A, TO-220FP, IRFI644GPBF
- RS 库存编号:
- 180-8325
- 制造商零件编号:
- IRFI644GPBF
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8325
- 制造商零件编号:
- IRFI644GPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.28Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.9A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-220FP | ||
最大漏源电阻 Rd 0.28Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， TO-220-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 250V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 77mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 48W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•动态 dV/dt 额定值
•隔离封装
•无铅 (Pb) 组件
•低热阻
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•阱到引线爬电距离为 4.8 mm
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)