Vishay , 1 P型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=50 V, 18 A, JEDEC TO-220AB
- RS 库存编号:
- 180-8845
- 制造商零件编号:
- IRF9Z30PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB17.69 | RMB88.45 |
| 15 - 20 | RMB17.158 | RMB85.79 |
| 25 + | RMB16.642 | RMB83.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8845
- 制造商零件编号:
- IRF9Z30PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.14Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 14.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 6.48mm | |
| 宽度 | 10.52 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
最大漏源电阻 Rd 0.14Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 14.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 6.48mm | ||
宽度 10.52 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道 TO-220AB 封装，是具有 60V 漏极源电压和 20V 最大栅极源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 140mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 74W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• Advanced 工艺技术
•快速切换
•完全提供额定功率
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)