onsemi 650 V 150 A IGBT, 4引脚, 通孔安装, P通道, 1MHz

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包装方式:
RS 库存编号:
181-1893P
制造商零件编号:
FGH75T65SHDTLN4
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

150 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

455 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

P

引脚数目

4

开关速度

1MHz

晶体管配置

尺寸

15.8 x 5.2 x 22.74mm

栅极电容

3710pF

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+175 °C

额定能量

160mJ

COO (Country of Origin):
CN
Fairchild 的新系列 Field Stop 第 3 代 IGBT 采用创新的 Field Stop IGBT 技术,为低传导和切换损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供最佳性能。

最大接点温度:TJ = 175 °C
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压:VCE (sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 75 A
所有零件均通过 ILM(1) 测试
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布