Infineon IGBT, Ic 83 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3
- RS 库存编号:
- 225-0575
- 制造商零件编号:
- IHW50N65R6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 240 - 960 | RMB10.921 | RMB2,621.04 |
| 1200 + | RMB10.702 | RMB2,568.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 225-0575
- 制造商零件编号:
- IHW50N65R6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 83 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 251 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 83 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 251 W | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon IHW50N65R6 是 650 V ， 50 A IGBT ，带单自由集成二极管，采用 TO-247 封装，带单自由集成二极管，设计用于使用半桥谐振拓扑满足感应加热应用的严苛要求。
频率范围 20-75 kHz
低 EMI
非常紧密的参数分布
最大工作 TJ 为 175 °C
低 EMI
非常紧密的参数分布
最大工作 TJ 为 175 °C