Infineon 1200 V 2 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道, 1MHz

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RS 不再对该产品备货。
包装方式:
RS 库存编号:
823-5582P
制造商零件编号:
SGP02N120XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

2 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

62 W

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

尺寸

8.5 x 4.4 x 9.25mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C

COO (Country of Origin):
MY

Infineon 分离式 IGBT 晶体管


Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术,如 NPT、Trenchstop™ 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用,包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立件和模块,Infineon


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。