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    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh K5, SuperMESH5系列, Vds=800 V, 19.5 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚

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    RS 库存编号:
    103-2011
    制造商零件编号:
    STF25N80K5
    制造商:
    STMicroelectronics
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    品牌

    STMicroelectronics

    通道类型

    N

    最大连续漏极电流

    19.5 A

    最大漏源电压

    800 V

    封装类型

    TO-220FP

    安装类型

    通孔

    引脚数目

    3

    最大漏源电阻值

    260 mΩ

    通道模式

    增强

    最大栅阈值电压

    5V

    最小栅阈值电压

    3V

    最大功率耗散

    40 W

    晶体管配置

    最大栅源电压

    -30 V、+30 V

    典型栅极电荷@Vgs

    40 nC @ 10 V

    最高工作温度

    +150 °C

    宽度

    4.6mm

    每片芯片元件数目

    1

    晶体管材料

    Si

    长度

    10.6mm

    高度

    16.4mm

    最低工作温度

    -55 °C

    系列

    MDmesh K5, SuperMESH5