Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 35 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
124-9008
制造商零件编号:
IRFB5615PBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

35 A

最大漏源电压

150 V

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

39 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

144 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

4.83mm

典型栅极电荷@Vgs

26 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

长度

10.67mm

最高工作温度

+175 °C

高度

9.02mm

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MX

数字音频 MOSFET，Infineon


D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。