Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 35 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, C3M系列
- RS 库存编号:
- 125-3453P
- 制造商零件编号:
- C3M0065100K
- 制造商:
- Wolfspeed
可享批量折扣
小计 8 件 (按管提供)*
¥1,045.68
(不含税)
¥1,181.60
(含税)
暂时缺货
- 1,271 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 8 - 14 | RMB130.71 |
| 15 + | RMB128.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 125-3453P
- 制造商零件编号:
- C3M0065100K
- 制造商:
- Wolfspeed
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Wolfspeed | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 1000 V | |
| 系列 | C3M | |
| 封装类型 | TO-247-4 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V | |
| 最大功率耗散 | 113.5 W | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+19 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 15 V，35 nC @ 4 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 高度 | 23.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 4.8V | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Wolfspeed | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 1000 V | ||
系列 C3M | ||
封装类型 TO-247-4 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 90 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 1.8V | ||
最大功率耗散 113.5 W | ||
最大栅源电压 -8 V、+19 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 16.13mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 15 V，35 nC @ 4 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 5.21mm | ||
晶体管材料 SiC | ||
高度 23.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 4.8V | ||
碳化硅功率 MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.
新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V
新低阻抗封装，带驱动器源
漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙
高速切换，具有低输出电容
高阻塞电压，带低漏-源通态电阻
可耐受雪崩
快速固有二极管，带低反向恢复
在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V
新低阻抗封装，带驱动器源
漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙
高速切换，具有低输出电容
高阻塞电压，带低漏-源通态电阻
可耐受雪崩
快速固有二极管，带低反向恢复
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Cree Inc.