IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 310 A, SOT-227, 表面安装, 4引脚, IXFN360N15T2, GigaMOS TrenchT2 HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 125-8042
- Distrelec 货号:
- 302-53-371
- 制造商零件编号:
- IXFN360N15T2
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥340.09
(不含税)
¥384.30
(含税)
有库存
- 另外 1 件在 2025年12月29日 发货
- 另外 77 件在 2026年1月05日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 2 | RMB340.09 |
| 3 - 4 | RMB333.29 |
| 5 + | RMB323.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 125-8042
- Distrelec 货号:
- 302-53-371
- 制造商零件编号:
- IXFN360N15T2
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 310A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | GigaMOS TrenchT2 HiperFET | |
| 包装类型 | SOT-227 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 715nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.07kW | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 宽度 | 25.07 mm | |
| 长度 | 38.23mm | |
| Distrelec Product Id | 30253371 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 310A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 GigaMOS TrenchT2 HiperFET | ||
包装类型 SOT-227 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 715nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.07kW | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.6mm | ||
宽度 25.07 mm | ||
长度 38.23mm | ||
Distrelec Product Id 30253371 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备