Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 50 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS™ 3系列
- RS 库存编号:
- 130-0923
- 制造商零件编号:
- IPP055N03LGXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 130-0923
- 制造商零件编号:
- IPP055N03LGXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | OptiMOS™ 3 | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 68 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 OptiMOS™ 3 | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 7.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 68 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.57mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.36mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
高度 15.95mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||