Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 11 A, PQFN封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
130-0986P
制造商零件编号:
IRFHM9391TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

11 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

PQFN

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

22.5 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.4V

最小栅阈值电压

1.3V

最大功率耗散

2.6 W

最大栅源电压

-25 V、+25 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

长度

3.2mm

典型栅极电荷@Vgs

32 nC @ 10 V

宽度

3.2mm

最低工作温度

-55 °C

高度

0.8mm

正向二极管电压

1.2V

系列

HEXFET

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


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