Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 35 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
145-9563
制造商零件编号:
IRFI4510GPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

35 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

13.5 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

42 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

4.83mm

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

13 nC @ 50 V

长度

10.63mm

晶体管材料

Si

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.3V

高度

9.8mm

COO (Country of Origin):
CN

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon


Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


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