IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 62 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- RS 库存编号:
- 146-1777
- 制造商零件编号:
- IXTH62N65X2
- 制造商:
- IXYS
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小计(1 管,共 30 件)*
RMB2,430.30
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
---|---|---|
30 - 30 | RMB81.01 | RMB2,430.30 |
60 - 90 | RMB78.58 | RMB2,357.40 |
120 + | RMB76.223 | RMB2,286.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 146-1777
- 制造商零件编号:
- IXTH62N65X2
- 制造商:
- IXYS
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | IXYS | |
通道类型 | N | |
最大连续漏极电流 | 62 A | |
最大漏源电压 | 650 V | |
系列 | X2-Class | |
封装类型 | TO-247 | |
安装类型 | 通孔 | |
引脚数目 | 3 | |
最大漏源电阻值 | 50 mΩ | |
通道模式 | 增强 | |
最大栅阈值电压 | 5V | |
最小栅阈值电压 | 2.7V | |
最大功率耗散 | 780 W | |
晶体管配置 | 单 | |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
长度 | 16.13mm | |
典型栅极电荷@Vgs | 100 nC @ 10 V | |
晶体管材料 | Si | |
最高工作温度 | +150 °C | |
宽度 | 21.34mm | |
高度 | 5.21mm | |
正向二极管电压 | 1.4V | |
最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
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品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 62 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 X2-Class | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 50 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 2.7V | ||
最大功率耗散 780 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 16.13mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 21.34mm | ||
高度 5.21mm | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||