onsemi N沟道增强型MOS管 SuperFET III系列, Vds=650 V, 19 A, TO220F封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
146-4114
制造商零件编号:
FCPF165N65S3L1
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

19 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO220F

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

165 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

35 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

±30 V 交流/直流

每片芯片元件数目

2

宽度

4.6mm

典型栅极电荷@Vgs

35 nC @ 10 V

长度

10.3mm

最高工作温度

+150 °C

高度

15.7mm

系列

SuperFET III

正向二极管电压

1.2V

最低工作温度

-55 °C

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor