IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 80 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 146-4236
- 制造商零件编号:
- IXFH80N65X2
- 制造商:
- IXYS
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小计（1 管，共 30 件）*
RMB1,806.45
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RMB2,041.29
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | RMB60.215 | RMB1,806.45 |
| 120 - 270 | RMB58.409 | RMB1,752.27 |
| 300 - 570 | RMB56.603 | RMB1,698.09 |
| 600 - 870 | RMB55.398 | RMB1,661.94 |
| 900 + | RMB54.194 | RMB1,625.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 146-4236
- 制造商零件编号:
- IXFH80N65X2
- 制造商:
- IXYS
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | HiperFET | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 38 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大功率耗散 | 890 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 140 @ 10 V nC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 高度 | 21.34mm | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 HiperFET | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 38 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大功率耗散 890 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 16.13mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 140 @ 10 V nC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.21mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
高度 21.34mm | ||