IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 80 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 146-4236
- 制造商零件编号:
- IXFH80N65X2
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | RMB62.267 | RMB1,868.01 |
| 120 - 270 | RMB60.399 | RMB1,811.97 |
| 300 - 570 | RMB58.531 | RMB1,755.93 |
| 600 - 870 | RMB57.286 | RMB1,718.58 |
| 900 + | RMB56.04 | RMB1,681.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 146-4236
- 制造商零件编号:
- IXFH80N65X2
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | HiperFET | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 38 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大功率耗散 | 890 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 140 @ 10 V nC | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 高度 | 21.34mm | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 HiperFET | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 38 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大功率耗散 890 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
宽度 5.21mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 140 @ 10 V nC | ||
长度 16.13mm | ||
高度 21.34mm | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道功率 MOSFET , IXYS HiPerFET ™ X2 系列
与前几代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 类 HiPerFET 功率MOSFET 系列显著降低电阻和栅极电荷,从而降低了损耗,提高了操作效率。这些坚固耐用的器件包含增强型高速固有二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。X2 类功率MOSFET可采用多种行业标准封装,包括隔离型,在 650V 时额定电流高达 120A。典型应用包括直流 - 直流转换器,交流和直流电动机驱动器,开关模式和谐振模式电源,直流截波器,太阳能逆变器,温度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (栅极电荷)
快速固有整流器二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
快速固有整流器二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
低 RDS(接通)和 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
谐振模式电源
高强度放电 (HID) 灯镇流器
交流和直流电动机驱动器
直流 - 直流转换器
机器人和伺服控制
电池充电器
3 级太阳能逆变器
LED 照明
无人机 (UAV)
效率更高
高功率密度
安装简便
节省空间
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
谐振模式电源
高强度放电 (HID) 灯镇流器
交流和直流电动机驱动器
直流 - 直流转换器
机器人和伺服控制
电池充电器
3 级太阳能逆变器
LED 照明
无人机 (UAV)
效率更高
高功率密度
安装简便
节省空间
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
