ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 148-6907
- 制造商零件编号:
- RE1C002ZPTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB0.478 | RMB1,434.00 |
| 15000 + | RMB0.464 | RMB1,392.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 148-6907
- 制造商零件编号:
- RE1C002ZPTL
- 制造商:
- ROHM
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SC-75 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 9.6 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 0.96mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.8mm | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SC-75 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 9.6 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 1.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.4 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 0.96mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.8mm | ||