Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 8 A, TSOP-6, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 152-6371
- 制造商零件编号:
- SI3493BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
已停售
- RS 库存编号:
- 152-6371
- 制造商零件编号:
- SI3493BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | TSOP-6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | -0.9V | |
| 最小栅阈值电压 | -0.4V | |
| 最大功率耗散 | 2.97 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 TSOP-6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 45 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 -0.9V | ||
最小栅阈值电压 -0.4V | ||
最大功率耗散 2.97 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±8 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.7mm | ||
长度 3.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
无卤
TrenchFET® 功率 MOSFET
PWM 优化
通过 100 % Rg 测试
应用
负载开关
PA 开关
电池开关
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