Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 8 A, TSOP-6, 贴片安装, 6引脚

已停售
包装方式:
RS 库存编号:
152-6371
制造商零件编号:
SI3493BDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

8 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

TSOP-6

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

45 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

-0.9V

最小栅阈值电压

-0.4V

最大功率耗散

2.97 W

晶体管配置

最大栅源电压

±8 V

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

29 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

宽度

1.7mm

长度

3.1mm

最低工作温度

-55 °C

高度

1mm

无卤
TrenchFET® 功率 MOSFET
PWM 优化
通过 100 % Rg 测试
应用
负载开关
PA 开关
电池开关

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