onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2 A, MCPH3封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
163-0024
制造商零件编号:
MCH3333A-TL-W
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

2 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

MCPH3

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

430 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.3V

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

900 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-10 V、+10 V

长度

2mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

宽度

1.6mm

典型栅极电荷@Vgs

2.8 nC @ 4 V

高度

0.83mm

正向二极管电压

1.5V

COO (Country of Origin):
CN

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor