Microchip P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 175 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 165-4216
- 制造商零件编号:
- TP2104N3-G
- 制造商:
- Microchip
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- TP2104N3-G
- 制造商:
- Microchip
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | Microchip | |
通道类型 | P | |
最大连续漏极电流 | 175 mA | |
最大漏源电压 | 40 V | |
封装类型 | TO-92 | |
安装类型 | 通孔 | |
引脚数目 | 3 | |
最大漏源电阻值 | 10 Ω | |
通道模式 | 增强 | |
最大栅阈值电压 | 2V | |
最大功率耗散 | 740 mW | |
晶体管配置 | 单 | |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
晶体管材料 | Si | |
宽度 | 4.06mm | |
长度 | 5.08mm | |
最低工作温度 | -55 °C | |
正向二极管电压 | 2V | |
高度 | 5.33mm | |
选择全部 | ||
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品牌 Microchip | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 175 mA | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 740 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.06mm | ||
长度 5.08mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 2V | ||
高度 5.33mm | ||