Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 70 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, OptiMOS T2系列
- RS 库存编号:
- 165-5181
- 制造商零件编号:
- IPI70N04S406AKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPI70N04S406AKSA1
- 制造商:
- Infineon
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | Infineon | |
通道类型 | N | |
最大连续漏极电流 | 70 A | |
最大漏源电压 | 40 V | |
封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
系列 | OptiMOS T2 | |
安装类型 | 通孔 | |
引脚数目 | 3 | |
最大漏源电阻值 | 6.5 mΩ | |
通道模式 | 增强 | |
最大栅阈值电压 | 4V | |
最小栅阈值电压 | 2V | |
最大功率耗散 | 58 W | |
晶体管配置 | 单 | |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
宽度 | 4.4mm | |
最高工作温度 | +175 °C | |
晶体管材料 | Si | |
典型栅极电荷@Vgs | 24.5 nC @ 10 V | |
长度 | 10mm | |
高度 | 9.25mm | |
最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
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品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 70 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
系列 OptiMOS T2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 6.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 58 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 24.5 nC @ 10 V | ||
长度 10mm | ||
高度 9.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||