Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 70 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, OptiMOS T2系列

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RS 库存编号:
165-5181
制造商零件编号:
IPI70N04S406AKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

70 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

I2PAK (TO-262)

系列

OptiMOS T2

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

6.5 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

58 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

4.4mm

最高工作温度

+175 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

24.5 nC @ 10 V

长度

10mm

高度

9.25mm

最低工作温度

-55 °C