Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 84 A, PQFN封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
165-5338
制造商零件编号:
AUIRFN8401TR
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

84 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

PQFN

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

4.6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.9V

最小栅阈值电压

2.2V

最大功率耗散

63 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

5mm

典型栅极电荷@Vgs

44 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

长度

5.85mm

正向二极管电压

1.3V

最低工作温度

-55 °C

系列

HEXFET

高度

1.17mm

COO (Country of Origin):
CN

N 通道功率 MOSFET，40V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。