Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=400 V, 500 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3 + Tab引脚

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RS 库存编号:
165-5822
制造商零件编号:
BSP298H6327XUSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

500 mA

最大漏源电压

400 V

封装类型

SOT-223

安装类型

贴片

引脚数目

3 + Tab

最大漏源电阻值

3 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2.1V

最大功率耗散

1.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

6.5mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

宽度

3.5mm

每片芯片元件数目

1

高度

1.6mm

系列

SIPMOS

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。