Name: Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 310 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, BSS223PWH6327XTSA1, OptiMOS P系列
Brand: Infineon
SKU: 165-5861
Price: 0.32 CNY
Availability: InStock

英飞凌 OptiMOS P 系列 MOSFET，310 mA 最大连续漏极电流，250 mW 最大功率耗散 - BSS223PWH6327XTSA1

这种 MOSFET 是电子电路中的关键元件，在众多应用中充当开关或放大器。其 P 沟道设计和增强模式特性可在表面贴装电子系统中实现高效电流控制。该元件的高温工作能力使其适用于对极端条件下性能要求极高的汽车和工业应用。

特点和优势

• 通过 1.2Ω 的低导通电阻提高效率

• 支持高达 150°C 的高温运行

• 性能强劲，最大额定电压为 20V

• 适用于延迟时间最短的高速开关

• 符合 AEC-Q101 汽车应用标准

• 以低栅极电荷特性实现稳定运行

应用

• 汽车驱动负载

• 用于电动汽车电池管理系统

• 在消费电子产品的电源管理电路中实施

• 用于音频和电子设备的放大器

• 应用于要求高效开关的各种自动化系统中

元件能承受的最大电流是多少？

在 25°C 温度条件下，它能处理的最大连续漏极电流为 310mA，确保在特定条件下可靠运行。

该组件如何针对高温环境进行优化？

其设计可承受高达 +150°C 的工作温度，因此适合在具有挑战性的应用中使用。

这种晶体管适合哪种安装方式？

该元件用于表面贴装，便于集成到紧凑型电子系统中。

它符合任何汽车标准吗？

是的，它符合 AEC-Q101 标准，满足汽车应用的严格可靠性标准。

Infineon OptiMOS™P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能，以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗，通态电阻，雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC，电机控制，汽车和eMobility。

增强模式

耐雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合RoHS标准

标准封装

OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位	每卷*
3000 - 12000	RMB0.28	RMB840.00
15000 +	RMB0.274	RMB822.00

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	310mA
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	SC-70
	系列	OptiMOS P
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2.1Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	-1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	12 V
	最大功耗 Pd	250mW
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.5nC
	最高工作温度	150°C
	长度	2mm
	标准/认证	No
	高度	0.8mm
	宽度	1.25 mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 310mA
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 SC-70
	系列 OptiMOS P
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2.1Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf -1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 12 V
	最大功耗 Pd 250mW
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.5nC
	最高工作温度 150°C
	长度 2mm
	标准/认证 No
	高度 0.8mm
	宽度 1.25 mm
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 310 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, BSS223PWH6327XTSA1, OptiMOS P系列