Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 33 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，130W 最大功率耗散 - IRF540NSTRRPBF

特点和优势

应用

运行中的低 RDS(on) 有什么意义？

MOSFET 在较高温度下的性能如何？

该设备能否处理脉冲电流，规格如何？

指定的栅极阈值电压有何影响？

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。