Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=40 V, 40 A, TSDSON封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 165-6656
- 制造商零件编号:
- BSZ042N04NSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，因为制造商正在逐步停产。
- RS 库存编号:
- 165-6656
- 制造商零件编号:
- BSZ042N04NSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 4.2 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 69 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 TSDSON | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 4.2 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 69 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 3.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 1.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||