Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 1.2 A, SOT-363 (SC-88)封装, 表面贴装, 6引脚

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RS 库存编号:
165-6931
制造商零件编号:
SI1965DH-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

1.2 A

最大漏源电压

12 V

封装类型

SOT-363 (SC-88)

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

710 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

1.25 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-8 V、+8 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

1.35mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

2.8 nC @ 8 V

长度

2.2mm

每片芯片元件数目

2

最低工作温度

-55 °C

高度

1mm