onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=100 V, 1.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
166-3522
制造商零件编号:
FQT7N10TF
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

1.7 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

SOT-223

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

350 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

最大栅源电压

-25 V、+25 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

5.8 nC @ 10 V

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

每片芯片元件数目

1

高度

1.7mm

系列

QFET

最低工作温度

-55 °C