onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=100 V, 1.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 166-3522
- 制造商零件编号:
- FQT7N10TF
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- FQT7N10TF
- 制造商:
- onsemi
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选择全部 | 属性 | 值 |
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品牌 | onsemi | |
通道类型 | N | |
最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
最大漏源电压 | 100 V | |
封装类型 | SOT-223 | |
安装类型 | 贴片 | |
引脚数目 | 3 | |
最大漏源电阻值 | 350 mΩ | |
通道模式 | 增强 | |
最小栅阈值电压 | 2V | |
最大功率耗散 | 2 W | |
晶体管配置 | 单 | |
最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
晶体管材料 | Si | |
典型栅极电荷@Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
长度 | 6.7mm | |
宽度 | 3.7mm | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
高度 | 1.7mm | |
系列 | QFET | |
最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
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品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 350 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 2 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 10 V | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.7mm | ||
系列 QFET | ||
最低工作温度 -55 °C | ||