Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 80 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚, BSC050N03LS G系列
- RS 库存编号:
- 171-1921
- 制造商零件编号:
- BSC050N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
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- RS 库存编号:
- 171-1921
- 制造商零件编号:
- BSC050N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 系列 | BSC050N03LS G | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 宽度 | 6.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TDSON | ||
系列 BSC050N03LS G | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 7.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 50 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
宽度 6.35mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V | ||
长度 5.49mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.1mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
Infineon BSC050N03LS G 是 OptiMOS 25V MOSFET ，是满足服务器，数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的最佳选择。
超低栅极电荷和输出电荷
最低通态电阻，采用小体积封装
易于设计
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