Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 55 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 171-2475
- 制造商零件编号:
- TK55S10N1
- 制造商:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 5 - 495 | RMB21.438 | RMB107.19 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2475
- 制造商零件编号:
- TK55S10N1
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 55 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 6.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 157 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 55 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 6.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 157 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
长度 6.5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 2.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用
- COO (Country of Origin):
- JP
汽车
开关稳压器
电机驱动器
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 5.5 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
开关稳压器
电机驱动器
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 5.5 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）