onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 14 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
172-4638
制造商零件编号:
FCPF190N65S3L1
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

14 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO-220F

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

190 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

33 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

±30 V

最高工作温度

+150 °C

长度

10.3mm

宽度

4.6mm

典型栅极电荷@Vgs

30 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

正向二极管电压

1.2V

高度

15.7mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。

TJ = 150 oC 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 30 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
内部栅极电阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 170 mΩ