Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200V, 1.9 a, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 177-7564
- 制造商零件编号:
- IRFR9210TRPBF
- 制造商:
- Vishay
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- IRFR9210TRPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 a | |
| 最大漏源电压 | 200V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 25 瓦 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20V，+20V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.9 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.9 a | ||
最大漏源电压 200V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 25 瓦 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20V，+20V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 6.22mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 6.73mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.9 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 2.38mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
Vishay 功率 MOSFET 技术是先进功率 MOSFET 晶体管产品线的关键。功率 MOSFET 设计采用高效的几何结构和独特的加工工艺，实现了极低的导通电阻、高跨导和极高的器件坚固性。
动态 dV/dt 额定值
重复雪崩额定值
快速切换
重复雪崩额定值
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MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor