Microchip N沟道增强型MOS管, Vds=90 V, 350 mA, TO-39, 通孔安装, 3引脚, 2N6661系列
- RS 库存编号:
- 177-9587
- 制造商零件编号:
- 2N6661
- 制造商:
- Microchip
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 177-9587
- 制造商零件编号:
- 2N6661
- 制造商:
- Microchip
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA | |
| 最大漏源电压 | 90 V | |
| 系列 | 2N6661 | |
| 封装类型 | TO-39 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大功率耗散 | 6.25 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 宽度 | 9.398 Dia.mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 6.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 350 mA | ||
最大漏源电压 90 V | ||
系列 2N6661 | ||
封装类型 TO-39 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大功率耗散 6.25 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
宽度 9.398 Dia.mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 6.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||