Microchip N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 260 mA, TO-243AA, 贴片安装, 3引脚, TN2540系列
- RS 库存编号:
- 177-9854
- 制造商零件编号:
- TN2540N8-G
- 制造商:
- Microchip
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- RS 库存编号:
- 177-9854
- 制造商零件编号:
- TN2540N8-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 260 mA | |
| 最大漏源电压 | 400 V | |
| 系列 | TN2540 | |
| 封装类型 | TO-243AA | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 12 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.8V | |
| 高度 | 1.6mm | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 260 mA | ||
最大漏源电压 400 V | ||
系列 TN2540 | ||
封装类型 TO-243AA | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 12 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 1.6 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
长度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.8V | ||
高度 1.6mm | ||
这款低阈值增强型（常闭）晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
低阈值（2.0 V 最大值）
高输入阻抗
低输入电容（125 pF 最大值）
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
高输入阻抗
低输入电容（125 pF 最大值）
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏