Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 49 A, I2PAK (TO-262)封装, 通孔安装, 3引脚

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
178-1457
制造商零件编号:
IRFZ44NLPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

49 A

最大漏源电压

55 V

封装类型

I2PAK (TO-262)

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

17.5 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

3.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

63 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

4.69mm

长度

10.54mm

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

10.54mm

系列

HEXFET

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。