Vishay Siliconix N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, PowerPAIR 6 x 5, 贴片安装, 8引脚, TrenchFET系列

品牌

Vishay Siliconix

通道类型

N

最大连续漏极电流

40 (Channnel 1) A，60 (通道2) A

最大漏源电压

30 V

系列

TrenchFET

封装类型

PowerPAIR 6 x 5

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.1V

最小栅阈值电压

2.4V

最大功率耗散

26.6 w 、 60 w

最大栅源电压

+16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

14.6（通道 1）nC @ 10 V、62（通道 2）nC @ 10 V

长度

5mm

宽度

6mm

每片芯片元件数目

2

高度

0.7mm

正向二极管电压

1.2V

最低工作温度

-55 °C