Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 16 A, 微型支脚, 表面安装, 6引脚, SI8483DB-T2-E1, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7932
- 制造商零件编号:
- SI8483DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7932
- 制造商零件编号:
- SI8483DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | 微型支脚 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 26mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 13W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.5mm | |
| 高度 | 0.59mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 微型支脚 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 26mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大功耗 Pd 13W | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.5mm | ||
高度 0.59mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix Si8483DB 系列 TrenchFET 双 N 通道功率 MOSFET 具有 12 V 的漏极至源电压最大功耗为 13 W ，主要用于便携式设备的负载开关。
低电压降
低功耗
延长电池寿命