Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 150 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SUP60020E-GE3, SUP60020E系列

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制造商零件编号:
SUP60020E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

150A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TO-220

系列

SUP60020E

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

151.2nC

最大功耗 Pd

375W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.51mm

高度

9.01mm

宽度

4.65 mm

Distrelec Product Id

304-38-858

汽车标准

N 通道 80V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET

最高 175 ° C 接点温度

非常低的 QGD 可减少通过 VPlateau 时的功耗损失

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。