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    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块, Vds=1200 V, 20 A, HiP247, 通孔安装, 3引脚, SCT系列

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    包装方式:
    RS 库存编号:
    202-5492
    制造商零件编号:
    SCTWA20N120
    制造商:
    STMicroelectronics
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    品牌

    STMicroelectronics

    通道类型

    N

    最大连续漏极电流

    20 A

    最大漏源电压

    1200 V

    系列

    SCT

    封装类型

    HiP247

    安装类型

    通孔

    引脚数目

    3

    最大漏源电阻值

    0.189 Ω

    通道模式

    耗尽

    最大栅阈值电压

    3.5V

    每片芯片元件数目

    1

    晶体管材料

    SiC