STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块, Vds=600 V, 62 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, ST系列
- RS 库存编号:
- 202-5544
- 制造商零件编号:
- STW70N60DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB82.44 | RMB2,473.20 |
| 150 + | RMB80.791 | RMB2,423.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5544
- 制造商零件编号:
- STW70N60DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 62 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-247-4 | |
| 系列 | ST | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.036 Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.75V | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 62 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-247-4 | ||
系列 ST | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 0.036 Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最大栅阈值电压 4.75V | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||